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分离式半导体产品 >> FET - 单 |
STB14NM50N PDF |
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STB14NM50N View All Specifications
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标准包装 |
1 |
系列 |
MDmesh™ |
FET 型 |
MOSFET N 通道,金属氧化物
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FET 特点 |
标准
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漏极至源极电压(Vdss) |
500V
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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
12A
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开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C |
320 毫欧 @ 6A,10V
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Id 时的 Vgs(th)(最大) |
4V @ 100µA
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闸电荷(Qg) @ Vgs |
27nC @ 10V
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输入电容 (Ciss) @ Vds |
816pF @ 50V
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功率 - 最大 |
90W
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安装类型 |
表面贴装
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封装/外壳 |
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
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供应商设备封装 |
D2PAK
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包装 |
剪切带 (CT)
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其它名称 |
497-10644-1
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